巨有科技設計的系統晶片,讓MOSYS公司在行動電話應用處理器中發揮了最大的效益  

 

  森尼韋爾,加州與台北,台灣訊-4月10日,2007-台灣第一家專注於IC設計服務的巨有科技與先進高密度嵌入式記憶體解決方案供應商MoSys公司共同宣佈,雙方最近為客戶所開發的新一代CMOS晶片,即將進入量產階段。此晶片具有強大的影像處理功能,能強化手機於即時視訊會議的能力。

  此系統晶片的特點之一是必須在非常低單價的要求下,整合數個超大容量的嵌入式記憶體。巨有科技依照客戶的設計規格與效能考量,提供了完整的設計服務;並選擇MoSys公司高密度1T-SRAM解決方案,以求能達到高性能表現、低漏電流與小尺寸上的要求。

  「巨有科技多年來在 SoC 方面的表現,已獲得多方客戶的肯定,選擇巨有科技來開發此系統單晶片確實是個明智之舉」巨有科技研發設計部協理高偉傑表示,「MoSys公司的1-T SRAM在系統單晶片的整合上,提供了一個理想的記憶體崁入解決方案。它的壓縮技術與高效能表現,讓這個 SoC 中,不但具備了非常小的晶片尺寸,也同時保持了高良率的要求。」

  「巨有科技與MoSys公司高效率的合作,確保產品能在預算內並準時地交到客戶
手上。」MoSys公司董事長暨執行長Chet Silvestri指出,「藉由與巨有科技這樣有經驗的設計服務公司合作,我們將能提供更具有優勢的1T-SRAM技術給更多的客戶。」

關於巨有科技
  巨有科技(PGC)成立於1991年,為台灣第一家專注於IC設計服務的專業公司。巨有科技凝聚所有資源於提供最佳的IC設計服務品質給客戶,同時Turnkey服務以最快的交期、最具競爭力的價格,贏得客戶的信任。成立至今。巨有科技已成功Tape-out 900個專案以上,海內外出貨累計數億顆晶片。

About MoSys, Inc.
  Founded in 1991, MoSys (Nasdaq:MOSY), develops, licenses and markets industry-leading embedded memory IP for semiconductors. MoSys' patented 1T-SRAMR and 1T-FLASHR technologies offer a combination of high density, low power consumption, high speed and low cost that is unmatched by other memory technologies. MoSys licensees have shipped more than 100 million chips incorporating 1T-SRAM, demonstrating excellent manufacturability in a wide range of silicon processes and applications. MoSys is headquartered at 755 N. Mathilda Avenue, Sunnyvale, California 94085. More information is available at http://www.mosys.com.

1T-SRAM and 1T-FLASH are registered trademarks of MoSys, Inc.